為什么在伺服驅(qū)動(dòng)器中SiC碳化硅MOSFET逐步取代IGBT！
使用基本公司SiC碳化硅MOSFET打造全SiC碳化硅伺服驅(qū)動(dòng)器！-傾佳電子（Changer Tech）專業(yè)分銷
使用基本公司SiC碳化硅MOSFET升級(jí)傳統(tǒng)IGBT伺服驅(qū)動(dòng)器，實(shí)現(xiàn)更高的伺服驅(qū)動(dòng)器性能和效率！更小的伺服驅(qū)動(dòng)體積和重量！更低的伺服驅(qū)動(dòng)器成本！
 
隨著銅價(jià)暴漲高燒不退，如何降低電感等磁性元件成本將成為電力電子制造商的一大痛點(diǎn)，使用基本公司碳化硅MOSFET單管或者模塊替代IGBT單管或模塊，可以顯著提頻降低系統(tǒng)綜合成本（電感磁性元件，散熱系統(tǒng)，整機(jī)重量），電力電子系統(tǒng)的全碳SiC時(shí)代，未來(lái)已來(lái)！傾佳電子（Changer Tech）專業(yè)分銷基本公司SiC碳化硅MOSFET！
 
傾佳電子（Changer Tech）致力于基本公司國(guó)產(chǎn)碳化硅（SiC）MOSFET功率器件在電力電子市場(chǎng)的推廣！Changer Tech-Authorized Distributor of BASiC Semiconductor which committed to the promotion of BASiC™ silicon carbide (SiC) MOSFET power devices in the power electronics market!
 
 
基本公司SiC碳化硅MOSFET單管及模塊適用于各類伺服驅(qū)動(dòng)器，比如機(jī)器人、數(shù)控機(jī)械或工業(yè)自動(dòng)化等應(yīng)用。
 
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