碳化硅功率模塊的優(yōu)點
Hybrid SiC Module混合碳化硅和SiC MOSFET功率模塊結合了成熟的工業(yè)標準功率模塊和封裝技術的優(yōu)點。得益于多種封裝優(yōu)化，碳化硅的各種優(yōu)點得以充分利用。
碳化硅功率模塊換向電感降低可以實現(xiàn)SiC MOSFET的全速開關。更高的開關速度可以轉換成更高的開關頻率，從而得到更小的磁性過濾器 元件。同時可以降低開關損耗，提高系統(tǒng)效率。精密的材料和封裝技術可以將芯片與散熱片之間的熱阻減至更小，從而實現(xiàn)更高的功率密度。
碳化硅功率模塊的關鍵特性
更高的開關頻率，夠優(yōu)化濾波元件并降低其成本
冷卻設備更緊湊，降低功率損耗，從而提升效率并降低系統(tǒng)成本和規(guī)模
最新的碳化硅SiC MOSFET芯片
標準工業(yè)封裝，按照碳化硅的要求進行優(yōu)化：電感，低熱阻
針對實際應用優(yōu)化芯片組 
碳化硅功率模塊的應用 
太陽能逆變器：升壓電路和逆變器應用
儲能系統(tǒng)：大效率和低噪聲
UPS：高效雙轉換系統(tǒng)
電機驅動器：主動前端與電機側（混合碳化硅和SiC MOSFET 三相全橋和半橋）
電源：牽引應用、感應加熱等的助電源
領先的芯片和封裝技術，實現(xiàn)最大能效
混合碳化硅模塊：功率損耗降低50%，用簡便
IGBT開關與碳化硅肖特基二極管相結合
幾乎沒有二極管損耗...[詳細介紹]