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傾佳電子SiC碳化硅MOSFET取代IGBT業(yè)務(wù)推進(jìn)有限公司

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公司介紹
 為什么碳化硅MOSFET會取代IGBT?

碳化硅MOSFET和IGBT都是功率器件,但它們具有不同的特性。碳化硅MOSFET具有更高的開關(guān)速度、更低的導(dǎo)通電阻、更高的耐壓和更高的結(jié)溫,因此在高頻、高壓和高功率應(yīng)用中具有優(yōu)勢。IGBT具有更高的可靠性和更高的抗短路能力,因此在一些特殊應(yīng)用中仍具有優(yōu)勢。SiC碳化硅MOSFET技術(shù)性能上的優(yōu)勢,使變換器的設(shè)計可以變得更有效率,單個逆變器的額定功率得以進(jìn)一步提高,從而降低整體系統(tǒng)成本
 
光伏逆變器,電動汽車,儲能變流器,充電樁電源模塊等電力電子系統(tǒng)向更高電壓發(fā)展已經(jīng)成為行業(yè)的必然趨勢,這對半導(dǎo)體器件也提出了高耐壓要求。
相比于硅基高壓器件,碳化硅開關(guān)器件擁有更高的頻率和更小的導(dǎo)通電阻以及開關(guān)損耗,在大功率或超大功率應(yīng)用領(lǐng)域有著天然的應(yīng)用優(yōu)勢,也必將伴隨著應(yīng)用的發(fā)展向著更高的電壓等級蓄力發(fā)展。
 
傾佳電子(Changer Tech)致力于國產(chǎn)碳化硅(SiC)MOSFET功率器件在電力電子市場的推廣!Changer Tech-Authorized Distributor of BASiC Semiconductor which committed to the promotion of BASiC™ silicon carbide (SiC) MOSFET power devices in the power electronics market!
 
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SiC碳化硅MOSFET取代IGBT,碳化硅MOSFET單管替代單管IGBT,SiC碳化硅MOSFET功率模塊替代IGBT模塊,碳化硅替代IGBT,SiC替代IGBT,SiC碳化硅MOSFET升級替代IGBT,基本BASiC碳化硅MOSFET晶圓,SiC碳化硅SBD晶圓,SiC碳化硅二極管晶圓,eVTOL電機(jī)驅(qū)動,eVTOL電機(jī)控制器,基半代理商,基本BASiC碳化硅功率器件,基本BASiC一級代理,國產(chǎn)車規(guī)級碳化硅(SiC)MOSFET,基本?碳化硅SiC功率MOSFET一級代理商,基本?碳化硅SiC肖
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