IDT發(fā)布行業(yè)首款兼容LRDIMM、RDIMM和NVDIMM的3200 MT/s芯片組
最新IDT芯片組集成先進(jìn)功能，將DDR4速度和密度提升到新水平
2017年5月16日美國加州圣何塞——Integrated Device Technology, Inc.(IDT (R))(納斯達(dá)克股票代碼：IDTI)今天宣布向客戶和生態(tài)系統(tǒng)合作伙伴推出4RCD0232K寄存器和4DB0232K數(shù)據(jù)緩沖器樣品。該芯片組集成了近日被納入JEDEC最新標(biāo)準(zhǔn)(定義3200 MT/s性能器件)的新特性，包括決策反饋等化(DFE)、NVDIMM專用通信端口和細(xì)?；敵鲂盘柣亟锌刂频?。除了新特性和性能引擎，該芯片組還實(shí)現(xiàn)了目前業(yè)內(nèi)最低的DDR4芯片組功耗。
隨著多插槽內(nèi)存子系統(tǒng)速度越來越快，回叫和串?dāng)_影響了信號電壓幅值的質(zhì)量，使之難以識別信號的邏輯電平。DFE是一項(xiàng)從噪聲中恢復(fù)原始信號的技術(shù)，能大大提高信號電平強(qiáng)度。雖然DFE剛剛被納入JEDEC標(biāo)準(zhǔn)，但I(xiàn)DT在前兩代器件中就已把它作為專有性能增強(qiáng)技術(shù)。幾年來，IDT與主要生態(tài)系統(tǒng)合作伙伴和控制器廠商合作促進(jìn)必要的系統(tǒng)培訓(xùn)軟件和固件開發(fā)，以充分實(shí)現(xiàn)DFE帶來的好處，IDT還是推動將該技術(shù)納入最新標(biāo)準(zhǔn)修訂版的主要支持者。
IDT還加入了一系列旨在提高NVDIMM密度和性能的特性。芯片組和NVDIMM控制器之間的新通信接口，以及用于在災(zāi)難性停電時進(jìn)行快速可靠恢復(fù)的自動狀態(tài)機(jī)，都支持服務(wù)器和存儲的新一代容錯和性能加速。除了密度和性能，通過集成前幾代NVDIMM使用的大量外部元件，芯片組還節(jié)省了成本。該芯片組可無縫配合IDT最新發(fā)布的P8800 NVDIMM電源管理芯片，提供一個具有可編程支持通電次序、電壓故障轉(zhuǎn)移和后備電源保護(hù)功能的完整解決方案。
IDT副總裁兼內(nèi)存接口部總經(jīng)理Rami Sethi表示：“該芯片組是過去幾年我們?yōu)閷RAM和存儲級內(nèi)存解決方案帶寬和密度提高到新水平所付出的努力的結(jié)晶。為了提升多插槽內(nèi)存拓?fù)涞乃俣?，IDT與我們的客戶和生態(tài)系統(tǒng)合作伙伴緊密合作，將高速串行接收器的常用技術(shù)引入了內(nèi)存子系統(tǒng)。”
美光(Micron)計(jì)算與網(wǎng)絡(luò)業(yè)務(wù)部副總裁Malcolm Humphrey表示：“美光正在檢驗(yàn)IDT DDR4 3200寄存器和數(shù)據(jù)緩沖器工程樣品。該芯片組使高成本效益的LRDIMM 3200解決方案成為可能，還有望把我們設(shè)計(jì)的NVDIMM提高到更高速度。”
經(jīng)驗(yàn)證，IDT最新芯片組已完全符合JEDEC規(guī)范。了解IDT的DDR4解決方案詳情，請?jiān)L問www.idt.com/go/DDR4 。
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集成設(shè)備技術(shù)公司(IDT)開發(fā)系統(tǒng)級解決方案，為客戶優(yōu)化應(yīng)用。IDT的RF、高性能時序、存儲器接口、實(shí)時互連、光纖互連、無線供電和SmartSensors等市場領(lǐng)先產(chǎn)品屬于公司廣泛、全面的面向通信、計(jì)算、消費(fèi)者、汽車和工業(yè)領(lǐng)域的混合信號解決方案。IDT總部位于加州圣何塞，在全球有設(shè)計(jì)、制造、銷售設(shè)施和分銷合作伙伴。IDT股票在納斯達(dá)克Global Select Stock Market(R)上市，股票代碼“IDTI”。了解IDT詳情，請?jiān)L問：www.IDT.com 。請?jiān)贔acebook、linkedIn、Twitter、YouTube和Google+關(guān)注IDT。
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