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大芯超導(dǎo)有限公司

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公司檔案
公司名稱: 大芯超導(dǎo)有限公司 公司類型: 企業(yè)單位 ()
所在地區(qū): 廣東/深圳市 公司規(guī)模:
注冊(cè)資本: 未填寫 注冊(cè)年份: 2012
資料認(rèn)證:
保  證  金: 已繳納 ¥0.00
經(jīng)營(yíng)范圍: 光伏逆變器升壓SiC碳化硅二極管,光伏逆變器SiC MOSFET,IGBT Hybrid Discrete,IGBT單管,混合IGBT單管,SiC MOSFET,SiC Power MOSFET,SiC MOSFET模塊,SOT-227碳化硅肖特基二極管模塊,混合SiC-IGBT模塊,BASiC基本混合混合SiC-IGBT單管,分立碳化硅MOSFET,TO263-7碳化硅MOSFET,碳化硅(SiC)MOSFET,儲(chǔ)能逆變器SiC MOSFET,光伏逆變器SiC MOSFET,光儲(chǔ)一體機(jī)混合IGBT器件
銷售產(chǎn)品: 光伏逆變器升壓SiC碳化硅二極管,光伏逆變器SiC MOSFET,IGBT Hybrid Discrete,IGBT單管,混合IGBT單管,SiC MOSFET,SiC Power MOSFET,SiC MOSFET模塊,SOT-227碳化硅肖特基二極管模塊,混合SiC-IGBT模塊,BASiC基本混合混合SiC-IGBT單管,分立碳化硅MOSFET,TO263-7碳化硅MOSFET,碳化硅(SiC)MOSFET,儲(chǔ)能逆變器SiC MOSFET,光伏逆變器SiC MOSFET,光儲(chǔ)一體機(jī)混合IGBT器件
采購(gòu)產(chǎn)品: 光伏逆變器升壓SiC碳化硅二極管,光伏逆變器SiC MOSFET,IGBT Hybrid Discrete,IGBT單管,混合IGBT單管,SiC MOSFET,SiC Power MOSFET,SiC MOSFET模塊,SOT-227碳化硅肖特基二極管模塊,混合SiC-IGBT模塊,BASiC基本混合混合SiC-IGBT單管,分立碳化硅MOSFET,TO263-7碳化硅MOSFET,碳化硅(SiC)MOSFET,儲(chǔ)能逆變器SiC MOSFET,光伏逆變器SiC MOSFET,光儲(chǔ)一體機(jī)混合IGBT器件
主營(yíng)行業(yè):
智能卡及刷卡設(shè)備
收到的評(píng)價(jià)(作為賣家) | 發(fā)出的評(píng)價(jià)(作為買家)

大芯超導(dǎo)有限公司

企業(yè)會(huì)員
信用指數(shù)
0
企業(yè)類型
企業(yè)單位
經(jīng)營(yíng)模式
主營(yíng)產(chǎn)品
光伏逆變器升壓SiC碳化硅二極管,光伏逆變器SiC MOSFET,IGBT Hybrid Discrete,IGBT單管,混合IGBT單管,SiC MOSFET,SiC Power MOSFET,SiC MOSFET模塊,SOT-227碳化硅肖特基二極管模塊,混合SiC-IGBT模塊,BASiC基本混合混合SiC-IGBT單管,分立碳化硅MOSFET,TO263-7碳化硅MOSFET,碳化硅(SiC)MOSFET,儲(chǔ)能逆變器SiC MOSFET,光伏逆變器SiC MOSFET,光儲(chǔ)一體機(jī)混合IGBT器件
產(chǎn)品分類
暫無分類
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